1949 г. август 

1952 г. 

Организован научно-исследовательский институт вакуумной техники с опытным заводом — НИИ-617 (в дальнейшем НЭВИ, НИИ «Восток», НПП «Восток» )

Строительство завода.

12.07.1956 г. 

НЗПП частично введен в эксплуатацию.

1956 г.

НЗПП принял к освоению и выпуску серии пальчиковых ламп широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы.

1957 г.

На НЗПП освоение производства первого полупроводникового диода Д2. Выпуск 59 тыс. штук.

1959 г.

На НЗПП освоены диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813. Выпуск полупроводниковых приборов 10 млн. штук, электровакуумных приборов 4 млн. штук.

19.03.1959 г. 

В составе НЗПП создано Особое конструкторское бюро (ОКБ).

1961 г. 

ОКБ разработало первые изделия – стабилитроны Д814 и диод Д504.

1961–1975 гг. 

1963 г. 

1965 г.

Разработана серия стабилитронов с напряжением стабилизации от 0,7 до 100В и рассеиваемой мощностью от 125 до 1000 мВт, термокомпенсированные стабилитроны с уходом напряжения стабилизации до 0,001% на градус, разработаны основные принципы планарной технологии.

В НИИ-617 /НПП «Восток» создана лаборатория, открывающая новое направление в создании электронных приборов на базе использования свойств твердого тела. Начаты работы над полупроводниковой тематикой

В НИИ-617 /НПП «Восток» Организован отдел полупроводниковой техники. Впервые в стране разрабатывается и осваивается серия полевых транзисторов.

1970 г. 

НЗПП. Начало разработок в ОКБ интегральных микросхем на основе КМОП технологии.

1973 г. 

НЗПП. осваивает первые КМОП интегральные микросхемы с напряжением питания 10В, разработанные в ОКБ.

1973–1975 гг. 

НЗПП. Создание в ОКБ базовой КМОП технологии, разработка САПР КМОП ИС и системы проектирования топологии и фотошаблонов.

1975–1980 гг. 

НЗПП. Разработка и освоение КМОП интегральных микросхем с расширенным диапазоном питающих напряжений (от 3 до 18В).

1976–1986 гг. 

НЗПП. Разработаны первые отечественные ограничители напряжения мощностью 0,15; 0,5; 1,5; 5,0 КВт.

1980–1985 гг. 

НЗПП. Разработан и освоен в производстве КМОП микропроцессорный комплект серии 1821.

1991 г. 

НЗПП. Выпущено максимальное количество полупроводниковых приборов и ИС (213,9 млн. штук).

2000 г. 

НЗПП. Разработаны первые аналоговые КМОП микросхемы, начат выпуск микромощных выпрямительных столбов для приборов ночного видения.

2003–2004 гг. 

2004-2006 гг.

2005-2006 гг.

2005-2010 гг.

2010 г.

2018-2022 гг

2020-2030гг

НЗПП. Освоено производство счетчиков электрической энергии. 

НЗПП. Разработаны и освоены в производстве 3 типономинала фильтров нижних частот (серия 1478)

НЗПП. Разработана и освоена в производстве микросхема двухканального цифрового потенциометра на 256 положений с трех-проводным последовательным интерфейсом (1272ПНхТ) 

НЗПП. Разработаны и введены в производство цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи.  

НЗПП. Разработана базовая конструкция и базовая технология унифицированных электронных  модулей –защитных устройств РЭА  от перенапряжений  в сетях электропитания, возникающих при косвенном воздействии грозовых разрядов и в результате коммутационных переходных процессов с энергией воздействующих импульсов не более 150 Дж при длительности от 1 до 5 мс. 

«НПП Восток» Работа как в традиционных (операционные усилители, схемы памяти, фотоприемные устройства), так и в принципиально новых для предприятия направлениях (силовая электроника, цифровая рентгенография, средства связи). Разработка новых изделий и устройств: — универсального таксофона, предназначенного для работы как в местном, так и междугороднем режимах, — серии рентгеновских детекторов с электронным трактом визуализации изображения на экране персонального компьютера, — блока детектирования для систем безопасности (совместно с Институтом ядерной физики), — силовых транзисторов с полевым управлением и со статической индукцией заряда и др

НЗПП оптимизация производственных площадей при перемещении производств с промышленной площадки «Восток» на промышленную площадку «НЗПП»

"НЗПП Восток"  Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска импортозащаемых микросхем, полупроводниковых приборов и оптоэлектронных изделий.