1949 г. август
1952 г.
|
Организован научно-исследовательский институт вакуумной техники с опытным заводом — НИИ-617 (в дальнейшем НЭВИ, НИИ «Восток», НПП «Восток» )
Строительство завода.
|
12.07.1956 г.
|
НЗПП частично введен в эксплуатацию.
|
1956 г.
|
НЗПП принял к освоению и выпуску серии пальчиковых ламп широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы.
|
1957 г.
|
На НЗПП освоение производства первого полупроводникового диода Д2. Выпуск 59 тыс. штук.
|
1959 г.
|
На НЗПП освоены диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813. Выпуск полупроводниковых приборов 10 млн. штук, электровакуумных приборов 4 млн. штук.
|
19.03.1959 г.
|
В составе НЗПП создано Особое конструкторское бюро (ОКБ).
|
1961 г.
|
ОКБ разработало первые изделия – стабилитроны Д814 и диод Д504.
|
1961–1975 гг.
1963 г.
1965 г.
|
Разработана серия стабилитронов с напряжением стабилизации от 0,7 до 100В и рассеиваемой мощностью от 125 до 1000 мВт, термокомпенсированные стабилитроны с уходом напряжения стабилизации до 0,001% на градус, разработаны основные принципы планарной технологии.
В НИИ-617 /НПП «Восток» создана лаборатория, открывающая новое направление в создании электронных приборов на базе использования свойств твердого тела. Начаты работы над полупроводниковой тематикой
В НИИ-617 /НПП «Восток» Организован отдел полупроводниковой техники. Впервые в стране разрабатывается и осваивается серия полевых транзисторов.
|
1970 г.
|
НЗПП. Начало разработок в ОКБ интегральных микросхем на основе КМОП технологии.
|
1973 г.
|
НЗПП. осваивает первые КМОП интегральные микросхемы с напряжением питания 10В, разработанные в ОКБ.
|
1973–1975 гг.
|
НЗПП. Создание в ОКБ базовой КМОП технологии, разработка САПР КМОП ИС и системы проектирования топологии и фотошаблонов.
|
1975–1980 гг.
|
НЗПП. Разработка и освоение КМОП интегральных микросхем с расширенным диапазоном питающих напряжений (от 3 до 18В).
|
1976–1986 гг.
|
НЗПП. Разработаны первые отечественные ограничители напряжения мощностью 0,15; 0,5; 1,5; 5,0 КВт.
|
1980–1985 гг.
|
НЗПП. Разработан и освоен в производстве КМОП микропроцессорный комплект серии 1821.
|
1991 г.
|
НЗПП. Выпущено максимальное количество полупроводниковых приборов и ИС (213,9 млн. штук).
|
2000 г.
|
НЗПП. Разработаны первые аналоговые КМОП микросхемы, начат выпуск микромощных выпрямительных столбов для приборов ночного видения.
|
2003–2004 гг.
2004-2006 гг.
2005-2006 гг.
2005-2010 гг.
2010 г.
2018-2022 гг
2020-2030гг
|
НЗПП. Освоено производство счетчиков электрической энергии.
НЗПП. Разработаны и освоены в производстве 3 типономинала фильтров нижних частот (серия 1478)
НЗПП. Разработана и освоена в производстве микросхема двухканального цифрового потенциометра на 256 положений с трех-проводным последовательным интерфейсом (1272ПНхТ)
НЗПП. Разработаны и введены в производство цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи.
НЗПП. Разработана базовая конструкция и базовая технология унифицированных электронных модулей –защитных устройств РЭА от перенапряжений в сетях электропитания, возникающих при косвенном воздействии грозовых разрядов и в результате коммутационных переходных процессов с энергией воздействующих импульсов не более 150 Дж при длительности от 1 до 5 мс.
«НПП Восток» Работа как в традиционных (операционные усилители, схемы памяти, фотоприемные устройства), так и в принципиально новых для предприятия направлениях (силовая электроника, цифровая рентгенография, средства связи). Разработка новых изделий и устройств: — универсального таксофона, предназначенного для работы как в местном, так и междугороднем режимах, — серии рентгеновских детекторов с электронным трактом визуализации изображения на экране персонального компьютера, — блока детектирования для систем безопасности (совместно с Институтом ядерной физики), — силовых транзисторов с полевым управлением и со статической индукцией заряда и др
НЗПП оптимизация производственных площадей при перемещении производств с промышленной площадки «Восток» на промышленную площадку «НЗПП»
"НЗПП Восток" Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска импортозащаемых микросхем, полупроводниковых приборов и оптоэлектронных изделий.
|