ПРОДУКЦИЯ ПАРТНЕРОВ

АО "НПП "Восток"

АО "НЗР "Оксид"

ОАО "НИИПП"

ССЫЛКИ

АО "Росэлектроника"

ГК "Ростех"

Департамент РЭП Минпромторга РФ

влажность:

давление:

ветер:

влажность:

давление:

ветер:

влажность:

давление:

ветер:

влажность:

давление:

ветер:

Поиск по сайту
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?

В 2009г в соответствии с ФЦП «Развитие ЭКБ в 2008-2015гг» на ФГУП "НЗПП с ОКБ" создан базовый центр проектирования (Дизайн-центр) для разработки новых современных изделий микроэлектроники.

Дизайн-центр в первую очередь предназначен для практической реализации, внедрения и распространения идеологии СБИС типа СнК при проектировании современной конкурентоспособной РЭА различного назначения, а также для разработки и исследований в области аналоговых и аналого-цифровых СФ-блоков СБИС типа СнК, которые позволят создать базу данных микроэлектроники, поддерживать и сопровождать проекты, использующие такие блоки, заказчиками которых являются ведущие организации ОПК, Минатом, Роскосмос.

Уже сейчас начаты работы в кооперации с ИФП СОРАН РФ и НПО «Интеграл» г. Минск по проектированию и изготовлению радиационно-стойких субмикронных СБИС на КНИ - пластинах. Закончен 1-й этап этой работы: спроектированы, изготовлены и обследуются тестовые структуры.

Начато проектирование:

  • 12-ти разрядного АЦП с тактовой частотой 200 МГц  с проектными нормами 0,18 мкм;
  • 14-ти разрядного ЦАП в рамках ГОЗ-2009;
  • Преобразователя Вал-Код сигналов датчиков СКТ для АФАР в рамках ГОЗ -2011 ;
  • Биочипа на базе идеологии ИФП СО РАН для нанопроволочной матрицы, чувствительной к наличию микробов, бактерий и вирусов;
  • СнК для системы беспроводной широкополосной связи WiMAX.

Дизайн-центр занимает площадь 600 кв.м  и имеет в своем составе: отделы радиоэлектронной аппаратуры и микроэлектроники, лабораторию испытаний и измерений,  лабораторию электрофизических исследований,  а также отдел программистов и научно-технический отдел.

Разработка  и тестирование  микроэлектроники ведется на современном измерительном оборудовании, таких  как комплекс функционального контроля параметров СБИС  и входящая в его состав зондовой установка Summit 12000B производства США(ФОТО), опытным коллективом разработчиков, а так же проводится анализ разрабатываемых микросхем и полупроводниковых приборов.